电弧深黑技术
离子过滤
比例给气自动流量控制器
数控节流阀
磁控溅射镀膜机
中频磁控溅射镀膜技术是镀制化合物及氧化物膜的理想设备，彻底克服了打弧的现象，并且溅射速度快，适合镀制铟锡合金（ITO），氧化铝（AL2O3），二氧化硅（SIO2），氧化钛（TiO2),氮化硅（Si3N4)等，配置多个靶及膜厚仪可镀制多种多层复合膜。
技术指标
1 镀膜室尺寸:Φ1200 mm X 900 mm 、 Φ1200 mm X 1500 mm、Φ1500 mm X 1200 mm
2 极限真空度:优于＜1.3×10-3 pa（冷态包括转架）
3 排空时间:（ 冷态，包括工件架 ）在扩散泵已正常工作情况下,从大气抽至6.6 x 10-3 Pa时间〈 20min
4 等离子体加速器电弧靶6只+中频平面靶4只+离子源1只
采用最新开发的距形平面溅射靶:确保颗粒细腻;幅射均匀;高真空弧光平稳.
技术特征 ：
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内置加速电场
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恒定高斯的水平磁场
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直接水冷
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采用溅射靶专用电源
5 溅射电源采用我公司独有的脉冲溅射专用电源,具有特殊保护电路装置.技术特征:
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中频孪生靶磁控溅射电源：最有效地杜绝了磁控溅射“靶中毒”的现象，可以在采用纯金属靶材的前提下，制备包括氧化物在内的各种化合物薄膜，是取代射频磁控的先进镀膜方法。同时可以有效地提高磁控溅射制备的纯金属薄膜的沉积速率，在批量化生产中，提高生产效率
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该电源采用了先进的高频开关技术，使用最新IGBT器件，具有优异的输出特性和良好的适应性。参数调节范围宽且稳定，保护措施完善合理，具备体积小，重量轻，效率高的优点。是双极孪生对靶磁控溅射技术的关键设备，是镀ITO膜，介质膜，绝缘保护膜等产品必备的专用电源。
6 工件架转速（内6轴外8轴）额定值:公转转速4r/mim,自转转速15r/min。
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变频调速,无级渐变,缓起缓停,可换向
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负重250KG
7 供气系统:两路（可选配三路或四路）比例给气自动质量流量控制.流量500—1000SCCM每路
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自动跟随真空室压强,自动调节进气量
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每路气均有质量流量显示
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无需混气罐,调节无滞后
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预设比例,总量自动或手动均可
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预设强置换功能,生成起步气冲
8 加热器输出功率0-21KW
9 压强控制:节流阀;自动压强调节
10 设备总功率:140KVA ,380V，三相四线制
11 温度测量方式:热电偶
表面测温方式:红外测温仪（选购件）
12 设备总功率:110KVA max,380伏、三相四线制；
13 温度测量方式:热电偶,可选配红外测温仪
14 设备总重:4.5t
15 设备占地面积:6m X 8m
16 冷却水流量: 2t/hr （进水温度25摄氏度以下，压力2KG/CM 2）
π形转靶 
石墨弧靶 
线形离子源 
离子渗透 
大功率偏压电源 
引孤系统改造 